技术参数
品牌: | ST/意法半导体 |
型号: | STP45NF06 |
封装: | TO-220-3 |
批次: | 22+ |
数量: | 6870 |
制造商: | STMicroelectronics |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-220-3 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 60 V |
Id-连续漏极电流: | 38 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 28 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2 V |
最小工作温度: | - 65 C |
工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 80 W |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
下降时间: | 10 ns |
正向跨导 - 最小值: | 18 S |
高度: | 9.15 mm |
长度: | 10.4 mm |
上升时间: | 40 ns |
系列: | STP45NF06 |
晶体管类型: | MOSFET |
典型关闭延迟时间: | 12 ns |
典型接通延迟时间: | 4.6 mm |
宽度: | 2 g |
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