产品说明:
210A 30V N-通道增强模式电源MOSFET-DH020N03/DHF020N03/DHI020N03/ DHE020N03/DHB020N03/DHD020N03增强的vdmosfet,采用了*的沟槽技术设计,提供了优良的Rdson和低门电荷。这符合RoHS的标准。
特点和功能
● 快速切换
● 低导通电阻(Rdson≤Ω)
● 低栅极电荷(典型值:65nC)
● 低反向传输电容(典型值:435pF)
● 99%单脉冲雪崩能量测试
● 99%ΔVDS试验
产品应用
• SPMS应用
• 负荷开关
• 电源管理
• BMS系统
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