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产品说明：20A650VN-通道增强模式电源MOSFET-20N65AQ1/F20N65AQ1/20N65DAQ1通过自对准平面技术获得，降低了传导损耗，提高了开关性能，增强了雪崩能量
产品说明：
20A 650V N-通道增强模式电源MOSFET-20N65AQ1/F20N65AQ1/ 20N65DAQ1通过自对准平面技术获得，降低了传导损耗，提高了开关性能，增强了雪崩能量。封装TO-220F。这符合RoHS的标准。
特点和功能
• 快速切换
• 低电阻(Rdson≤Ω)
• 低门电荷(Typ：)
• 低反向传输电容(Typ：167pF)
• 99%单脉冲雪崩能量测试
• 99%ΔVDS测试
产品应用
• 用于各种电源开关电路，以实现系统的小型化和更高效率。
• 适配器和充电器的电源开关电路。
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