Thorlabs 单晶金刚石 光学元件
特性
通过化学气相沉积(CVD)生长的单晶金刚石
提供量子级或电子级金刚石版本
这些单晶金刚石由Element Six公司的zhuan利工艺制成，并通过Thorlabs提供，以促进量子研究的发展，非常适合磁场传感、射频探测、陀螺仪、微波激射、量子演示、量子计算、量子通信和研究应用。量子级金刚石具有密度为300 ppb或4.5 ppm的氮-空位(NV)中心。对于想要创建缺陷中心的用户，可以使用NV浓度≤0.03 ppb且具有低背景杂质的电子级金刚石。这些金刚石可用于制造抗电离辐射设备等应用。
Thorlabs 单晶金刚石 光学元件（量子级）
提供两种NV中心密度：
DNVB14：4.5 ppm
DNVB1：300 ppb
提供3.0 mm x 3.0 mm方形
这些量子级金刚石具有密度为300 ppb或4.5 ppm的氮-空位(NV)中心，可产生可读和可写自旋量子比特，且这些量子比特在室温下具有较长的寿命，这些优势源于金刚石的结构和强共价键。NV自旋中心的密度、中心的均匀分布、自旋特性以及紧凑的形状因子使得这种金刚石非常适合交流磁场传感、射频探测、陀螺仪、微波激射、量子演示和研究应用。
| Item # | DNVB1 | DNVB14 | |
|---|---|---|---|
| Quantum Properties | |||
| Typical NV Center Density | 300 ppb | 4.5 ppm | |
| Typical Spin Coherence Time T2* a | 1 µs | 0.5 µs | |
| Typical Spin Coherence Time T2 b | 200 µs | 10 µs | |
| General Specifications | |||
| Crystallographic Orientation | ± 3° | ||
| Edge Orientation | < 100 > | ||
| Dimensionsc | Length | 3.0 +0.2/-0.0 mm | |
| Width | 3.0 +0.2/-0.0 mm | ||
| Thickness | 0.5 ± 0.05 mm | ||
| Laser Kerf | ≤5° | ||
| Edge Features | < 0.2 mm | ||
| Roughness, Ra | < 10 nm | ||
| 13C Fraction | 1.1% | ||
Thorlabs 单晶金刚石 光学元件（电子级）
低氮-空位(NV)中心密度：≤0.03 ppb
提供两种尺寸：
4.0 mm x 4.0 mm方形
4.5 mm x 4.5 mm方形
这些电子级单晶金刚石的氮浓度≤5 ppb，氮-空位(NV)浓度通常≤0.03 ppb。此外，金刚石的背景杂质硼浓度非常低(< 1 ppb)，且电子迁移率一般大于2000 cm2/V⋅s。用户可使用这些金刚石探测已生长的NV缺陷或通过离子注入或外延生长产生自己的缺陷。此外，它们可以用作高功率激光器、微电子设备或定制金刚石电子设备(例如辐射探测器)的高导热性和光学透明散热器。金刚石的尺寸可选4.0 mm x 4.0 mm或4.5 mm x 4.5 mm方形。
| Item # | ELSC40 | ELSC45 | |
|---|---|---|---|
| Crystallographic Orientation | ± 3° | ||
| Edge Orientation | < 110 > | ||
| Dimensionsa | Length | 4.0 +0.2/-0.0 mm | 4.5 +0.2/-0.0 mm |
| Width | 4.0 +0.2/-0.0 mm | 4.5 +0.2/-0.0 mm | |
| Thickness | 0.5 ± 0.05 mm | 0.5 ± 0.05 mm | |
| Laser Kerf | ≤5° | ||
| Edge Features | < 0.2 mm | ||
| Roughness, Ra | < 5 nm | ||
| Boron Concentration | < 1 ppb | ||
| Nitrogen Concentration | ≤5 ppb | ||
| Typical NV Concentration | ≤0.03 ppb | ||
| 13C Fraction | 1.1% | ||
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