产品简介
技术参数品牌:Infineon英飞凌型号:BSS806NH6327批号:21+封装:PG-SOT23-3数量:30000QQ:制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SOT-23-3通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:20VId-连续漏极电流:2
详情介绍
技术参数
品牌: | Infineon英飞凌 |
型号: | BSS806N H6327 |
批号: | 21+ |
封装: | PG-SOT23-3 |
数量: | 30000 |
QQ: | |
制造商: | Infineon |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-23-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 20 V |
Id-连续漏极电流: | A |
Rds On-漏源导通电阻: | 41 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 550 mV |
Qg-栅极电荷: | nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 500 mW (1/2 W) |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
资格: | AEC-Q101 |
封装: | Cut Tape |
封装: | MouseReel |
封装: | Reel |
高度: | mm |
长度: | mm |
系列: | BSS806 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | mm |
商标: | Infineon Technologies |
正向跨导 - 最小值: | 9 S |
下降时间: | ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | ns |
工厂包装数量: | 3000 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 12 ns |
典型接通延迟时间: | ns |
零件号别名: | BSS806NH6327XTSA1 SP000928952 BSS86NH6327XT BSS806NH6327XTSA1 |
单位重量: | 8 mg |
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