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当前位置:得芯科技(深圳)有限公司>>晶体管>>其他晶体管>> IRFH5301TRPBFIR 场效应管 IRFH5301TRPBF MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 1.85mOhms 37nC

IR 场效应管 IRFH5301TRPBF MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 1.85mOhms 37nC

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参  考  价:面议
具体成交价以合同协议为准
  • 产品型号:IRFH5301TRPBF
  • 品牌:
  • 产品类别:矿用防爆
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 样本:
  • 更新时间:2023-03-07 13:07:31
  • 浏览次数:6
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  • 经营模式:其他
  • 商铺产品:1073条
  • 所在地区:
  • 注册时间:2018-04-29
  • 最近登录:2023-03-06
  • 联系人:潘浩浩
产品简介

技术参数品牌:IR型号:IRFH5301TRPBF批号:1841+封装:QFN数量:3663QQ:制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:PQFN-8通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:30VId-连续漏极电流:100ARdsOn-漏源导通电阻:1

详情介绍


技术参数

品牌:IR
型号:IRFH5301TRPBF
批号:1841+
封装:QFN
数量:3663
QQ:
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PQFN-8
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续漏极电流:100 A
Rds On-漏源导通电阻: mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: V
Qg-栅极电荷:77 nC
最小工作温度:- 55 C
工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散: W
配置:Single
高度: mm
长度:6 mm
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:5 mm
正向跨导 - 最小值:218 S
下降时间:23 ns
上升时间:78 ns
典型关闭延迟时间:22 ns
典型接通延迟时间:21 ns
零件号别名:SP001556462
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