技术参数
品牌: | STM |
型号: | STU2N95K5 |
批号: | 19+ |
封装: | TO-251-3 |
数量: | 44850 |
QQ: | 511375281 |
制造商: | STMicroelectronics |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-251-3 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 950 V |
Id-连续漏极电流: | 2 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 5 Ohms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 30 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 4 V |
Qg-栅极电荷: | 10 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 45 W |
商标名: | SuperMESH |
封装: | Tube |
配置: | Single |
系列: | STU2N95K5 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
商标: | STMicroelectronics |
下降时间: | 32.5 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 13.5 ns |
工厂包装数量: | 3000 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 20.5 ns |
典型接通延迟时间: | 8.5 ns |
单位重量: | 4 g |
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