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扫描隧道显微镜/NAP-STM技术指标

2026年06月11日 15:55:40      来源:明通甄选 >> 进入该公司展台      阅读量:10

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 扫描隧道显微镜/NAP-STM(Scanning Tunneling Microscope, STM)是一种基于量子隧穿效应的高分辨率表面分析仪器,能够在原子尺度上直接观测导电材料的表面形貌。

扫描隧道显微镜/NAP-STM技术指标:

1.腔体结构

1.1配置不锈钢STM分析腔,配备离子泵、机械泵、真空规等泵抽系统,背景真空优于1*10-9mbar

1.2配备不锈钢快速进样室,配备泵抽系统,背景真空优于5*10-8mbar

2.近常压变温扫描头

2.1最大扫描范围不小于1.0μmx1.0μm(T>350K)

2.2X/Y方向的补偿范围:≥±750nm;Z方向为±115nm

2.3气压工作范围,不小于UHV-100mbar

2.4温度控制范围:UHV条件下,不小于220K-700K,10mbar压力下,不小于RT-500K

2.5低温下(150K< T)

2.6扫描头机械稳定性(针尖固定位置不动,在恒压恒流模式下,Z中噪音的峰峰值):<5pm

2.7配备近常压进气气路

2.8配置温度控制单元和样品转移机械手

3.STM控制器

3.1匹配前放增益1V/nA

3.2隧穿电流范围:不小于0.01nA–50nA

3.3具有快速扫描功能,数据获取速度:不低于1000000像素/秒

3.4配备配套软件和数据处理系统一套

4.针尖刻蚀离子源

4.1用于针尖原位处理,离子能量范围最大:不小于5keV

4.2离子束流(Ar气)最大值:≥20μA

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