薄膜沉积是在半导体的主要衬底材料上镀一层膜。这层膜可以有各种各样的材料，比如绝缘化合物二氧化硅，半导体多晶硅、金属铜等。用来镀膜的这个设备就叫薄膜沉积设备。

从半导体芯片制作工艺流程来说，位于前道工艺中。

薄膜制备工艺按照其成膜方法可分为两大类：物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积（CVD），其中CVD工艺设备占比更高。

物理气相沉积（PVD）指将材料源表面气化并通过低压气体/等离子体在基体表面沉积，包括蒸发、溅射、离子束等；

化学气相沉积(CVD)是指通过气体混合的化学反应在硅片表面沉积一层固体膜的工艺，根据反应条件（压强、前驱体）的不同又分为常压CVD（APCVD）、低压CVD（LPCVD）、等离子体增强CVD(PECVD)、高密度等离子体CVD（HDPCVD）和原子层沉积（ALD）。