化学机械磨抛机的原理和特点介绍

在我们实际研磨抛光过程中，研磨抛光主要讲的是化学机械抛光（CMP: Chemical Mechanical Polishing）。CMP 是化学的和机械的综合作用，在一定压力及抛光浆料存在下，在抛光液中的腐蚀介质作用下工件表面形成一层软化层，抛光液中的磨粒对工件上的软化层进行磨削，因而在被研磨的工件表面形成光洁表面。

抛光液中的腐蚀介质与被抛光表面材料发生了化学反应，生成很薄的剪切强度很低的化学反应膜，反应膜在磨粒磨削作用下被去处，从而露出新的表面，接着又继续反应生成新的反应膜，如此周而复始的进行，使表面逐渐被抛光修平,实现抛光的目的。

UNIPOL-1203化学机械磨抛机，适用于CMP平坦化和平滑化工艺技术，整机研磨部分采用防腐材料，耐化学腐蚀，配置自动滴料器和精密磨抛控制仪，全自动触摸屏面板，从加工性能和速度上同时满足晶圆等面型加工的需求。 

主要特点：
1、超平不锈钢抛光盘（平面度为每25mm×25mm小于0.0025mm）。
2、超精旋转轴（托盘端跳小于0.01mm）。
3、设有两个加工工位，可分别进行控制。
4、配有全自动控制触摸屏面板，可设置主轴转速、摆臂速度、磨抛时间。
5、配置自动滴料器，流量速率可视化调整，自动研磨和抛光。
6、配置GPC-100A精密磨抛控制仪，可调节压力，修整面型，使磨抛更加方便快捷。
7、研磨部分采用防腐材料，耐化学腐蚀。