使用GSL-1700X-SPC-2设备在Si片上蒸镀Cu，探索设备蒸镀膜厚大及小值。

实验过程：

图1设备                        图2蒸发料

原料：铜段（蒸发料，铜导线内芯），Si基底（酒精超声清洗30min，后使用去离子水超声清洗30min，真空烘箱70℃烘干）。使用分子泵抽真空，待真空度到达10⁰时，利用氮气对腔室进行洗气三至四次。洗气结束，待分子泵抽真空至10^-4Torr，开始给炉子加热，升温曲线0.6℃/s，升温至相应温度，玻璃罩出现金属色后打开挡板蒸镀。

实验结果如下：

结论：

1、GSL-1700X-SPC-2设备在Si基底上镀Cu，薄（膜厚仪可检测）可蒸镀至14.8nm

2、GSL-1700X-SPC-2设备在Si基底上镀Cu，厚（起皮前）可蒸镀至37.72μm

特别声明：

1. 以上所有实验仅为初步探究，仅供参考。由于我们水平有限，错误疏漏之处欢迎指出，我们非常期待您的建议。

2. 欢迎您提出其他实验思路，我们来验证。

3. 以上实验案例及数据只针对科晶设备，不具有普遍性。

4. 因为涉及保密问题，以上数据仅为部分数据，欢迎老师与我们联系，我们非常期待和您共同探讨设备的应用技术。