碳化硅（SiC）是由硅和碳组成的陶瓷，人造的碳化硅作为研磨料，商品名为金刚砂，也可作为半导体材料和碳硅宝石。常见类型是α-碳化硅，其合成温度超过2000°C，结构呈六方晶系。另一种β-碳化硅呈面心立方结构，制备温度通常低于2000°C，但商业价值不高。碳化硅的比重为3.2g/cm3，熔点温度高达2700°C，呈化学惰性，热膨胀系数很低，并且不会发生相转变，非常适合用作高温轴套和炉体材料。

测试条件：

温度范围：1000 … 2200°C

样品长度：18.66mm

校正标样：Poco石墨

升温速率：5K/min

气氛：He  

结果讨论：

上图是碳化硅生坯（主要是由SiC粉末和烧结助剂混合而成）在1000°C到2200°C下热膨胀测试曲线，呈两步烧结步骤。步烧结收缩速率在1313°C达到大，这是因为烧结助剂的减少。第二步收缩速率在1817°C达到大，这是由于坯体的收缩/致密化造成的。该例说明使用DIL 402测量超过2000°C的陶瓷烧结过程是*没有问题。