近年以来受惠影音消费性电子产品兴起的热潮，消费者对资料储存的需求与日俱增，使得NAND Flash的需求出现大幅度的成长。

快闪记忆体(Flash Memory)目前分为NOR和NAND两种，NOR、NAND Flash结构由东芝(Toshiba)于1988 和1989年发表。 NOR Flash具有XIP (eXecute In Place)的特点，这样应用程序可以直接在Flash内运行，不必再把原始码读到系统RAM中，也因此部份NOR Flash被当作ROM使用。 NOR Flash传输效率很高，在1~4MB的小容量具有很高的成本效益，但是很低的写入和抹除速度大大影响它的性能。而NAND Flash能提供较高的单元密度，可以达到高储存密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND Flash的困难在于需要特殊的系统管理方法，所以需要1个控制晶片(NAND Flash Controller)。一般而言NOR Flash仅用来储存少量的代码，而NAND Flash则用做大量资料储存用途。目前市场上主要的NAND Flash制造商为三星(Samsung)、东芝(Toshiba)、SK海力士(Hynix)、美光(Micron)和新帝(SanDisk)等。

NAND Flash需求主要集中在智慧型手机、平板电脑、云端储存大型资料库用的固态硬碟(SSD)以及应用在消费端如记忆卡(Secure Card)、随身碟(USB Disk)等。

虽然NAND Flash如此蓬勃的发展，但市面上针对NAND Flash汇流排的除错工具真可谓少之又少，Acute PC-Based逻辑分析仪提供NAND Flash汇流排触发与解码。 NAND Flash汇流排解码可以帮助工程师解读讯号而触发功能则可以快速定位到NAND Flash Command/Address/Data，甚至是busy time error的位置。

NAND Flash汇流排解码:

NAND Flash汇流排解码支援Samsung/Toshiba/Hynix/Micron/Intel/ST/Spansion/

Winbond/Macronix/ONFI等厂牌。

其中”储存NAND Flash Data”功能可将NAND Flash汇流排解出来的资料，属于Data的部份另外存成.Bin档案，因为NAND Flash是一种会发生坏块(Bad Block)的储存架构，所以需要制定一套坏块管理方法。而工程师可以利用这些档案来检视其坏块管理法是否适当。 “Reduced Report”功能可让报告视窗仅显示NAND Flash Command，这样就可以仅检视NAND Flash Command而不会被大量NAND Flash Data占据整个报告视窗。

NAND Flash汇流排触发:

NAND Flash汇流排触发除了可以快速定位NAND Flash command/address/data以及busy time error的位置之外，还可以利用NAND Flash汇流排触发提供的Clause Trigger架构以及搭配Timer/Counter来做不同的触发组合。

出现10次NAND Flash erase时触发:

可以藉由上述之触发组合来检测Flash擦除(erase)次数是否正确；也可以利用类似的触发组合来检测NAND Flash其他的指令是否正常运作，诸如写入Flash、读取Flash等等。

Acute PC-Based逻辑分析仪NAND Flash汇流排触发与解码功能可以帮助NAND Flash工程师快速解读以及定位NAND Flash讯号，节省除错时间并加快产品上市时间。