绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Biplor Transistor 一IG-BT ）结构相当于一个由MOSFET 驱动的GTR ，因而它综合了GTR 和MOSFET 的优点，即它既有MOSFET 输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、驱动电路简单和驱动功率小的优点，也具有GTR 通态压降低、通流能力强的优点。因此，IGBT 在1986 年投入市场后，迅速取代了GTR 成为当今在变频器中一种主流器件。目前，3 . 3kv / 1 . 2kA 功率等级的IGBT 应用于三电平变频器中不需要器件串联即可实现2 . 3kV 的电压输出；6 . 5kV / 0 . 6kA 的IGBT 也正走向商品化；同时硬开关频率达到150kHz 的NPT 一IGBT 也已商品化。可以预计，随着IGBT 的容量及开关频率的不断增加，高压变频器的主电路结构将会更简化，功率等级将进一步提高，输出波形将更加。