晶闸管的伏安特性包括位于象限的正向特性和位于第三象限的反向特性。晶闸管的正向特性分为阻断状态和导通状态。在门极电流为零的情况下，逐渐增大晶闸管的正向阳极电压，这时晶闸管呈现阻断状态，此时只有极小的漏电流流过。当正向电压逐渐增加到转折电压UBO时，漏电流剧增，特性从高阻区（阻断状态）经负阻区（虚线）到达低阻区（导通状态）。导通后的晶闸管特性和二极管的正向特性相仿，即通过较大的电流，晶闸管本身的压降也很小。晶闸管导通后，如逐步减小阳极电流，当IA小到等于维持电流IH时，晶闸管由导通变为阻断。晶闸管的反向特性是指晶闸管反向阳极电压与阳极漏电流的伏安特性，与二极管的反向特性类似。晶闸管处于反向阻断状态时，只有极小的反向漏电流通过。当反向电压超过一定限度达到击穿电压时，外电路如无限制措施，则反向漏电流急剧增大，导致晶闸管发热损坏。

从晶闸管的结构图可以看出，门极和阴极之间是一个PN 结，其伏安特性称为门极伏安特性，但实际的门极伏安特性分散性很大。为了保证可靠、安全地触发，门极触发电路所提供的触发电压、触发电流和功率都应限制在晶闸管门极伏安特性曲线中的可靠触发区内。