反应离子刻蚀机原理是将10~100MHZ高频电压置于平板电极之间能在试样之前产生几百微米厚的离子层。当化学腐蚀时，离子以一种高速碰撞方式完成化学反应腐蚀。所以，为了得到高速、垂直腐蚀表面，大多数加速离子都无法与其它气体分子碰撞，从而直接冲击试件。要实现这一目标，就需要优化诸如真空、气体流量、离子加速电压等参数，同时要得到高密度等离子体，还需要通过磁场提高处理能力。

根据国内RIE腐蚀系统的研发与生产需要，可提供多种型号。

反应离子刻蚀机参数：

1.铝材料或不锈钢腔。

2.不锈钢箱。

3.腐蚀硅(~400A/min)或金属。

4.射频源：阳极化射频板较高12度。

5.双刻蚀容量：RIE和等离子腐蚀。

6.风力电梯。

7.手动/自动安装。

8.预抽真空室。

9.计算机控制。

10.选择ICP源和平台低温冷却导致深硅腐蚀。

选择反应离子刻蚀机

1.采用各向同性腐蚀高密度等离子体。

2.ICP等离子源，2KWRF电源和调谐器。

3.低温基底冷却。

4.检查终点。

5.1KW射频电流源和调谐器。

6.低频电流源和调谐器。

  以上就是小编为大家介绍的反应离子刻蚀机的全部内容，感谢大家耐心的阅读！