1.该化学机械抛光机可用于各类半导体集成电路、氧化物、金属、STI、SOI等产品的CMP平坦化抛光。通过更换抛光头可兼容4、6、8英寸晶圆
2.系统功能：手动上下片，程序自动进行抛光，配有终点监测装置，配置半自动loading&unloading托盘系统，8寸规格，方便8寸晶圆上下片
3.抛光数据监测：具有摩擦力监测功能
4.配备红外温度计实时监测抛光过程中抛光垫表面温度
化学机械抛光机CMP的产品参数：
1.抛光盘直径≥20inch(508mm)转速范围：30-200rpm
2.抛光头wafer加压方式：气囊加压，带有背压功能
3.wafer压力控制范围：70-500g/cm2
4.保持环压力控制范围：70-700g/cm2
5.抛光头转速范围：30-200rpm摆动幅度：±10mm
6.抛光液供应系统：3个可调流量蠕动泵供液，3路独立的抛光液通道，滴液位置可调
7.配置摩擦力&温度终点监控系统：含专用监测软件，带有Endpointdetection功能
8.控制系统：PC工控机控制，触摸屏操作，可存储20个加工程序，加工程序最多可设6个不同加工阶段
9.均匀性(1sigma,EE(EdgeExclusion):5mm)
片内非均匀性WIWNU≤5%
片间非均匀性WTWNU≤5%
实际参数可能会因设备的具体配置和定制需求而有所不同。
