采用双温区滑轨式CVD系统由双温区滑轨炉、质子流量控制系统、真空系统三部分组成。双温区滑轨炉可移动并可实现快速升降温；PLC控制5路质子流量器，能够精确控制系统的供气；真空泵可实现对管式炉快速抽真空。
化学气相沉积设备的结构：
该设备采用双层壳体并带有风冷系统，使其炉体表面温度都小于55℃，炉底安装一对滑轨，可手动滑动，以便满足特殊工艺的快速升降温的求。 化学气相沉积设备两个加热区的长度都是200mm分别由独立的温控系统控制。炉管内气压不可高于0.02MPa，当炉体温度高于1000℃时，炉管内不可处于真空状态，炉管内的气压需和大气压相当，保持在常压状态进入炉管的气体流量需小于200SCCM，以避免冷的大气流对加热石英管的冲击石英管的长时间使用温度<1100℃。对于样品加热的实验，不建议关闭炉管法兰端的抽气阀和进气阀使用。若需要关闭气阀对样品加热，则需时刻关注压力表的示数，若气压表示数大于0.02MPa，必须立刻打开泄气阀，以防意外发生(如炉管破裂，法兰飞出等)。
