设计工程师充分了解在应付由charged board event (CBE) 所造成的较严重损坏时，提供符合IEC 61000-4-2标准的静电放电 (ESD)保护功能可能并不足够。这些的浪涌事件具有高峰值电流和快速上升时间特性，可能损坏智能手机、平板电脑、汽车信息娱乐设备和其它敏感的电子产品的I/O端口。认识到这一事实，TE Connectivity旗下的电路保护业务部门推出了全新的硅ESD (SESD)系列器件， 这些器件的空气放电额定值为±20kV 和±22kV，远远高于IEC 8kV 接触放电和15kV空气放电标准要求，可以帮助设计人员解决由CBE事件引起的普遍电路保护难题。

　　TE电路保护部产品经理Nicole Palma表示：“在与设计工程师一起工作时，我们发现IEC的ESD保护标准没有真正解决可能导致产品故障的CBE问题。针对这一挑战，我们提升了现有的小型低电容SESD器件产品线，提供20kV及更高的浪涌保护能力。这种更强大的保护能力可以帮助制造商提高产品可靠性，限度地减少现场返修(field return)，而这正是竞争异常激烈的计算机、移动、消费和汽车市场的关键设计考虑。”

　　此新一代SESD产品同时具有单向和双向配置，以及1、2和4通道器件，采用微小型0201和0402尺寸及标准直通(flow-through)封装。除了提供20kV接触放电性能，这些器件的浪涌保护能力(4通道阵列为2.2A，1和2通道器件为2.5A)有助于提供更稳健的性能。

　　SESD器件的典型输入电容在高频谱下为0.15pF (双向)和0.30pF (单向)，能帮助满足HDMI、eSATA和其它高速信号要求。它们的低钳位电压 (<15V) 有助于达到快速启动时间和限度地减少能量通泄 (energy let-through)。此外，SESD器件具有极低的泄漏电流(50nA)，帮助在必须节约能源的应用中降低功耗。

　　型号：

　　单通道：

　　· SESD0201X1UN-0030-088 – 单向; 0201尺寸;0.30pF (典型) 输入Cp;8.8V (典型) VBR

　　· SESD0201X1BN-0015-096 – 双向; 0201尺寸;0.15pF (典型) 输入Cp, 9.6V (典型) VBR

　　· SESD0402X1UN-0030-088 – 单向; 0402尺寸;0.30pF (典型) 输入Cp, 8.8V (典型) VBR

　　· SESD0402X1BN-0015-096 –双向; 0402尺寸;0.15pF (典型) 输入Cp, 9.6V (典型) VBR

　　多通道：

　　· SESD0402Q2UG-0030-088 – 单向; 0402尺寸;0.30pF (典型) 输入Cp, 8.8V (典型) VBR

　　· SESD1004Q4UG-0030-088 – 单向; 1004尺寸;0.30pF (典型) 输入Cp, 8.8V (典型) VBR