硅片表面元素污染的控制在半导体工业中非常重要，目前通常采用全反射X射线荧光光谱法对它们进行测定。随着超大规模集成电路制造的发展，目前要求对硅片表面含量极低的元素杂质进行测定，但由于表面污染问题常常导致标准物质的使用寿命有限。因此，需要对工作标准物质的制备方法和测量方法进行规定和标准化。
近日，一项由标准化管理委员会主管，中国计量科学研究院主要起草的，有关硅片表明元素污染的标准正面向社会征求意见。据悉，《表面化学分析 全反射X射线荧光光谱法(TXRF)测定硅片表面元素污染》是起草组依据GB/T 1.1-2009《标准化工作导则 第1部分：标准的结构和编写》和《标准化工作指南 第2部分：采用标准》等标准制订的，规定了一种测量经化学机械抛光的或外延生长的硅片表面元素污染的原子表面密度的检测方法。
标准征求意见稿显示，实验的原理是当样品受到X射线辐射时，样品中的元素产生具有特征能量的荧光X射线，荧光X射线的强度会与样品中元素的含量成正比，而入射X射线在样品上发生全反射减小了入射X射线在样品中的穿透深度，这使得从样品表面区域(包括沉积在硅片表面的原子)更多地选择性激发出荧光X射线。因此，通过该试验能够得到具有高信背比和信噪比的X射线荧光光谱。
需要注意的是，因本实验方法使用X射线辐照，因此，实验人员必须避免将身体的任何部位暴露于仪器设备产生的X射线中。更为重要的是，在操作过程中还应保持手和手指处于X射线光路之外以及保护眼睛免受散射的二次X射线辐照。
据悉，标准化组织早在2000年就已经发布了《表面化学分析 全反射 X 射线荧光光谱法(TXRF)测定硅片表面元素污染》，而本标准的制订在一个方面也是与接轨，且很好地促进了国内相关技术的提升。相信标准在实施后能在半导体产业的产品质量控制与保证方面起着重要的应用价值，为此希望相关单位能在仔细研核后提出建设性意见，为标准的完善添砖加瓦。
更多详情请点击：《表面化学分析 全反射X射线荧光光谱法(TXRF)测定硅片表面元素污染》征求意见稿
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