MP6514S型探测器组件由4x4阵列规格InGaAs单光子雪崩光电二管(SPAD)芯片、CMOS主被动淬灭电路芯片倒焊互连而成的探测器模块与电压逆变模块、制冷模块、信号控制模块组成。在盖革工作模式下，探测器组件各像元独立、自由运行，探测0.95 ~ 1.65 μ m的近红外波段范围内微弱光信号，实时输出TTL电信号。
InGaAs单光子阵列探测器组件 950～1650nm,InGaAs单光子阵列探测器组件 950～1650nm●光谱响应波段0.95 ~ 1.65μm
●采用金属封装，器件质轻灵巧
●像元独立、自由运行
●像元可探测弱光子信号
●死时间、盖革雪崩信号检测阈值可调
●透雾、霾、烟尘等测距
●近红外激光告警
●远距离激光测距
●远距离空间激光通信
封装外形结构与尺寸(单位: mm )
电学接口
●电源输入: +5V
●数据输出类型: TTL
●控制命令接口: J63A-31
●电源输入接口类型: J30J
●数据输出接口类型: J63A-31
●外触发接口: SSMA
| 接口编号 | 功能 |
| 1 | SSMA-1:内同步信号输出 |
| 2 | SSMA-2:外同步信号输入 |
| 3 | J63A-31:输出信号端口及探测器工作设置输入信号端口 |
| 4 | J30J: +5V单电源供电 |
探测器面阵规格
| 性能描述 | |
| 器件类型 | InGaAs APD |
| 阵列规模 | 4x4 |
| 像元大小 | 100μm x 100μm |
| 光敏面大小[1] | 85μm x 85μm |
| 光窗 | 石英光窗 |
| 感光靶面至光窗外表面间距 | 4mm (光窗厚度为1mm ) |
| 注[1]:单片集成微透镜焦距150μm。 |
主要性能指标(Tc=22+3℃)
| 特性参数 | 参数指标 |
| 工作波长[1] | 0.95 ~ 1.65μm |
| 探测效率 | ≥10% ( 1.57 +0.05μm) |
| 暗计数率 | ≤10KHz |
| 时间抖动 | ≤500ps |
| 死时间 | 100 ~ 1000ns可调 |
| 有效像元率 | 99% |
| 注[1]:在工作波长范围内选配标准窄带滤光片。 | |
大额定值
| 参数 | 额定值 | 单位 |
| 工作温度范围Tc | -40～+55 | °C |
| 贮存温度范围TSTG | -40～+70 | °C |
| 大功耗P | 15 | W |
| 输入偏置范围VR | 4.9～5.5 | V |
| 静电放电敏感度ESD | 1000～2000 | V |
质量可靠性保证
● 产品执行GJB8121-2013《半导体光电组件通用规范》相关要求。
更新时间：2023/5/24 17:35:35
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