GaSe(硒化镓)太赫兹晶体
产品描述:
GaSe(硒化镓)晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域,至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体,拥有六边形结构的62m空间点群,300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高,非线性系数大(54pm/V),非常合适的透明范围,以及超低的吸收系数,这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。 因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源,GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取,我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。
注:GaSe晶体的解理面为(001),因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软,易碎。
产品特点:
太赫兹振荡能达到有非常宽的频域
抗损伤阈值高
非线性系数大
CO2激光的SHG
多种尺寸可选
客户导向的解决方案
接受客户定制服务
应用领域:
太赫兹时域系统
太赫兹源晶体
中远红外气体探测
CO2激光的SHG
THZ实验光源
太赫兹成像
技术参数:
GaSe晶体的透过率曲线:
实验室光路系统:
EOS测量及反演结果:
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