技术参数
品牌: | ST/意法半导体 |
型号: | STGWA60H65DFB |
批次: | 21+ |
数量: | 7500 |
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况: | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
湿气敏感性等级 (MSL): | 1(无限) |
类别: | 分立半导体产品 |
产品族: | 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 |
IGBT 类型: | 沟槽型场截止 |
电压 - 集射极击穿(值): | 650V |
电流 - 集电极 (Ic)(值): | 80A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 240A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(值): | 2V @ 15V,60A |
功率 - 值: | 375W |
开关能量: | 1.59mJ(开),900µJ(关) |
输入类型: | 标准 |
栅极电荷: | 306nC |
25°C 时 Td(开/关)值: | 66ns/210ns |
测试条件: | 400V,60A,10 欧姆,15V |
反向恢复时间 (trr): | 60ns |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | TO-247-3 |
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