技术参数
品牌: | DIODES |
型号: | BC857BV-7 |
批号: | NA |
封装: | SOT563 |
数量: | 35728 |
QQ: | |
制造商: | Diodes Incorporated |
产品种类: | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-563-6 |
晶体管极性: | PNP |
配置: | Dual |
集电极—发射极电压 VCEO: | - 45 V |
集电极—基极电压 VCBO: | - 50 V |
发射极 - 基极电压 VEBO: | - 5 V |
集电极—射极饱和电压: | - 400 mV |
直流电集电极电流: | - 100 mA |
Pd-功率耗散: | 200 mW |
增益带宽产品fT: | 100 MHz |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
系列: | BC857B |
高度: | 0.6 mm |
长度: | 1.6 mm |
宽度: | 1.2 mm |
直流集电极/Base Gain hfe Min: | 220 at -2 mA, - 5 V |
单位重量: | 29 mg |
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。