技术参数
| 品牌： | DIODES |
| 型号： | DMN63D8LDW-7 |
| 批号： | 19+ |
| 封装： | SOT-363-6 |
| 数量： | 39701 |
| QQ： | |
| 制造商： | Diodes Incorporated |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOT-363-6 |
| 通道数量： | 2 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 30 V |
| Id-连续漏极电流： | 260 mA |
| Rds On-漏源导通电阻： | 2.8 Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 10 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 800 mV |
| Qg-栅极电荷： | 0.87 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 400 mW |
| 配置： | Dual |
| 通道模式： | Enhancement |
| 系列： | DMN63D8 |
| 晶体管类型： | 2 N-Channel |
| 正向跨导 - 最小值： | 80 mS |
| 下降时间： | 6.3 ns |
| 上升时间： | 3.2 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 12 ns |
| 典型接通延迟时间： | 3.3 ns |
| 单位重量： | 6 mg |
所有评论仅代表网友意见，与本站立场无关。