产品简介
技术参数品牌：ST型号：STD3NK100Z批号：17+封装：TO-252-3数量：36244QQ：制造商：STMicroelectronics产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：SMD/SMT封装/箱体：TO-252-3晶体管极性：N-Channel通道数量：1ChannelVds-漏源极击穿电压：1kVId-连续漏极电流：2
详情介绍
技术参数
| 品牌： | ST |
| 型号： | STD3NK100Z |
| 批号： | 17+ |
| 封装： | TO-252-3 |
| 数量： | 36244 |
| QQ： | |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-252-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 1 kV |
| Id-连续漏极电流： | 2.5 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 6 Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 10 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 3 V |
| Qg-栅极电荷： | 18 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 90 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 高度： | 2.4 mm |
| 长度： | 6.6 mm |
| 系列： | STD3NK100Z |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel Power MOSFET |
| 宽度： | 6.2 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 2.4 S |
| 下降时间： | 32 ns |
| 上升时间： | 7.5 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 39 ns |
| 典型接通延迟时间： | 15 ns |
| 单位重量： | 4 g |
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