产品简介
技术参数品牌：ST型号：SCTW100N65G2AG批号：19+封装：HiP247数量：41247QQ：制造商：STMicroelectronics系列：Automotive,AEC-Q101FET类型：N通道技术：SiCFET（碳化硅）25°C时电流-连续漏极(Id)：100A（Tc）驱动电压（RdsOn
详情介绍
技术参数
| 品牌： | ST |
| 型号： | SCTW100N65G2AG |
| 批号： | 19+ |
| 封装： | HiP247 |
| 数量： | 41247 |
| QQ： | |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 系列： | Automotive, AEC-Q101 |
| FET 类型： | N 通道 |
| 技术： | SiCFET（碳化硅） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 100A（Tc） |
| 驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）： | 18V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）： | 26 毫欧 @ 50A，18V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（值）： | 5V @ 5mA |
| Vgs（值）： | +22V，-10V |
| 功率耗散（值）： | 420W（Tc） |
| 工作温度： | -55°C ~ 200°C（TJ） |
| 安装类型： | 通孔 |
| 供应商器件封装： | HiP247™ |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 漏源电压（Vdss）： | 650 V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）： | 162 nC @ 18 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）： | 3315 pF @ 520 V |
| 基本产品编号： | SCTW100 |
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