技术参数
| 品牌： | VISHAY |
| 型号： | SIR168DP-T1-GE3 |
| 批号： | 10+ |
| 封装： | QFN-8 |
| 数量： | 37043 |
| QQ： | |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 |
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况： | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
| 湿气敏感性等级 （MSL）： | 1（无限） |
| 详细描述： | 表面贴装型-N-通道-30V-40A（Tc）-5W（Ta）-34.7W（Tc）-PowerPAK®-SO-8 |
| 数据列表： | SIR168DP; |
| 标准包装： | 3,000 |
| 包装： | 标准卷带 |
| 零件状态： | 停產 |
| 类别： | 分立半导体产品 |
| 产品族： | 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 类型： | N 通道 |
| 技术： | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）： | 30V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： | 40A（Tc） |
| 驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）： | 4.5V，10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）： | 4.4 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（值）： | 2.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）： | 75nC @ 10V |
| Vgs（值）： | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）： | 2040pF @ 15V |
| FET 功能： | - |
| 功率耗散（值）： | 5W（Ta），34.7W（Tc） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装： | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/外壳： | PowerPAK® SO-8 |
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