技术参数
| 品牌： | ST |
| 型号： | STP25NM60ND |
| 批号： | 14+ |
| 封装： | TO-220-3 |
| 数量： | 35836 |
| QQ： | |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-220-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 600 V |
| Id-连续漏极电流： | 21 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 160 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 25 V, + 25 V |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 160 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 封装： | Tube |
| 配置： | Single |
| 高度： | 9.15 mm |
| 长度： | 10.4 mm |
| 系列： | STB25NM60N |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 4.6 mm |
| 商标： | STMicroelectronics |
| 下降时间： | 40 ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 30 ns |
| 工厂包装数量： | 1000 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | 50 ns |
| 典型接通延迟时间： | 60 ns |
| 单位重量： | 2 g |
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