技术参数
品牌: | ST |
型号: | STF11NM80 |
批号: | 19+ |
封装: | TO-220-3 |
数量: | 35756 |
QQ: | |
制造商: | STMicroelectronics |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-220-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 800 V |
Id-连续漏极电流: | 11 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 400 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 30 V |
最小工作温度: | - 65 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 35 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
高度: | 9.3 mm |
长度: | 10.4 mm |
系列: | STF11NM80 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 4.6 mm |
正向跨导 - 最小值: | 8 S |
下降时间: | 15 ns |
上升时间: | 17 ns |
典型关闭延迟时间: | 46 ns |
典型接通延迟时间: | 22 ns |
单位重量: | 2.040 g |
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