技术参数
| 品牌： | ST |
| 型号： | STB4NK60ZT4 |
| 批号： | 10+ |
| 封装： | TO-263-3 |
| 数量： | 36729 |
| QQ： | |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-263-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 600 V |
| Id-连续漏极电流： | 4 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 2 Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 30 V |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 70 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 高度： | 4.6 mm |
| 长度： | 10.4 mm |
| 系列： | STB4NK60ZT4 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 9.35 mm |
| 下降时间： | 16.5 ns |
| 上升时间： | 9.5 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 29 ns |
| 典型接通延迟时间： | 12 ns |
| 单位重量： | 4 g |
所有评论仅代表网友意见，与本站立场无关。