产品简介
技术参数品牌:AOS型号:AON6382批号:19+封装:DFN5x6-8LEP1数量:37087QQ:制造商:Alpha&OmegaSemiconductorInc.FET类型:N通道25°C时电流-连续漏极(Id):85A(Tc)驱动电压(RdsOn
详情介绍
技术参数
品牌: | AOS |
型号: | AON6382 |
批号: | 19+ |
封装: | DFN5x6-8L EP1 |
数量: | 37087 |
QQ: | |
制造商: | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
FET 类型: | N 通道 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 85A(Tc) |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值): | 1.85 毫欧 @ 20A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(值): | 2.2V @ 250µA |
Vgs(值): | ±20V |
功率耗散(值): | 50W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-PowerSMD,扁平引线 |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值): | 65 nC @ 10 V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值): | 3100 pF @ 15 V |
- 上一篇: 场效应管 AO4832
- 下一篇: NJM2068V-TE1
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。