产品简介
技术参数品牌：VISHAY型号：SI7911DN-T1-GE3批号：10+封装：POWERPAK1212-8数量：37029QQ：描述：MOSFET2P-CH20V4
详情介绍
技术参数
| 品牌： | VISHAY |
| 型号： | SI7911DN-T1-GE3 |
| 批号： | 10+ |
| 封装： | POWERPAK 1212-8 |
| 数量： | 37029 |
| QQ： | |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8 |
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况： | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
| 湿气敏感性等级 （MSL）： | 1（无限） |
| 详细描述： | MOSFET-阵列-2-个-P-沟道（双）-20V-4.2A-1.3W-表面贴装型-PowerPAK®-1212-8-双 |
| 数据列表： | SI7911DN; |
| 标准包装： | 3,000 |
| 包装： | 标准卷带 |
| 零件状态： | 停產 |
| 类别： | 分立半导体产品 |
| 产品族： | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 |
| 系列： | TrenchFET® |
| 其它名称： | SI7911DN-T1-GE3TR |
| FET 类型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 功能： | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss）： | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 4.2A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）： | 51 毫欧 @ 5.7A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（值）： | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）： | 15nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）： | - |
| 功率 - 值： | 1.3W |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | PowerPAK® 1212-8 双 |
| 供应商器件封装： | PowerPAK® 1212-8 双 |
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