产品简介
技术参数品牌：VISHAY型号：SI2333CDS-T1-GE3批号：19+封装：SOT-23数量：38220QQ：制造商：Vishay产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：SMD/SMT封装/箱体：SOT-23-3晶体管极性：P-Channel通道数量：1ChannelVds-漏源极击穿电压：12VId-连续漏极电流：7
详情介绍
技术参数
| 品牌： | VISHAY |
| 型号： | SI2333CDS-T1-GE3 |
| 批号： | 19+ |
| 封装： | SOT-23 |
| 数量： | 38220 |
| QQ： | |
| 制造商： | Vishay |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOT-23-3 |
| 晶体管极性： | P-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 12 V |
| Id-连续漏极电流： | 7.1 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 35 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 400 mV |
| Qg-栅极电荷： | 15 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 2.5 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 高度： | 1.45 mm |
| 长度： | 2.9 mm |
| 系列： | SI2 |
| 晶体管类型： | 1 P-Channel |
| 宽度： | 1.6 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 18.5 S |
| 下降时间： | 12 ns |
| 上升时间： | 35 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 45 ns |
| 典型接通延迟时间： | 13 ns |
| 零件号别名： | SI2333CDS-T1-BE3 SI2333CDS-GE3 |
| 单位重量： | 8 mg |
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