产品简介
技术参数品牌：DIODES型号：DMC3028LSD-13批号：18+封装：SO-8数量：37618QQ：制造商：DiodesIncorporated产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：SMD/SMT封装/箱体：SO-8通道数量：2Channel晶体管极性：N-Channel,P-ChannelVds-漏源极击穿电压：30VId-连续漏极电流：7
详情介绍
技术参数
| 品牌： | DIODES |
| 型号： | DMC3028LSD-13 |
| 批号： | 18+ |
| 封装： | SO-8 |
| 数量： | 37618 |
| QQ： | |
| 制造商： | Diodes Incorporated |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SO-8 |
| 通道数量： | 2 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel, P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 30 V |
| Id-连续漏极电流： | 7.1 A, 7.4 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 45 mOhms, 41 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Qg-栅极电荷： | 5.2 nC, 16.4 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 1.3 W |
| 配置： | Dual |
| 系列： | DMC3028 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| 正向跨导 - 最小值： | 12 S, 18.6 S |
| 下降时间： | 9.7 ns, 28 ns |
| 上升时间： | 3.1 nS, 4.9 nS |
| 典型关闭延迟时间： | 14 nS, 44 nS |
| 典型接通延迟时间： | 2.5 ns, 3.5 ns |
| 单位重量： | 74 mg |
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