产品简介
技术参数品牌：DIODES型号：DMN2065UW-7批号：18+封装：SOT-323-3数量：39303QQ：制造商：DiodesIncorporatedFET类型：N通道技术：MOSFET（金属氧化物）25°C时电流-连续漏极(Id)：2.8A（Ta）驱动电压（RdsOn
详情介绍
技术参数
| 品牌： | DIODES |
| 型号： | DMN2065UW-7 |
| 批号： | 18+ |
| 封装： | SOT-323-3 |
| 数量： | 39303 |
| QQ： | |
| 制造商： | Diodes Incorporated |
| FET 类型： | N 通道 |
| 技术： | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 2.8A（Ta） |
| 驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）： | 1.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）： | 56 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（值）： | 1V @ 250µA |
| Vgs（值）： | ±12V |
| 功率耗散（值）： | 430mW（Ta） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装： | SOT-323 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 漏源电压（Vdss）： | 20 V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）： | 5.4 nC @ 4.5 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）： | 400 pF @ 10 V |
| 基本产品编号： | DMN2065 |
- 上一篇： 场效应管 IRF3717TRPBF
- 下一篇： NJL5303R-TE1
所有评论仅代表网友意见，与本站立场无关。