产品简介
技术参数品牌：DIODES型号：DMN63D8LV-7批号：19+封装：SOT-563-6数量：39522QQ：描述：MOSFET2N-CH30V0
详情介绍
技术参数
| 品牌： | DIODES |
| 型号： | DMN63D8LV-7 |
| 批号： | 19+ |
| 封装： | SOT-563-6 |
| 数量： | 39522 |
| QQ： | |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563 |
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况： | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
| 湿气敏感性等级 （MSL）： | 1（无限） |
| 原厂标准交货期： | 16 周 |
| 详细描述： | MOSFET-阵列-2-N-通道（双）-30V-260mA-450mW-表面贴装型-SOT-563 |
| 数据列表： | DMN63D8LV; |
| 标准包装： | 3,000 |
| 包装： | 标准卷带 |
| 零件状态： | 有源 |
| 类别： | 分立半导体产品 |
| 产品族： | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 |
| 系列： | - |
| 其它名称： | DMN63D8LV-7DITR |
| FET 类型： | 2 N-通道（双） |
| FET 功能： | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss）： | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 260mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）： | 2.8 欧姆 @ 250mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（值）： | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）： | 0.87nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）： | 22pF @ 25V |
| 功率 - 值： | 450mW |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商器件封装： | SOT-563 |
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