产品简介
技术参数品牌:DIODES型号:ZXMP10A17E6TA批号:19+封装:SOT-26-6数量:37242QQ:制造商:DiodesIncorporated产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SOT-26-6晶体管极性:P-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:100VId-连续漏极电流:1
详情介绍
技术参数
品牌: | DIODES |
型号: | ZXMP10A17E6TA |
批号: | 19+ |
封装: | SOT-26-6 |
数量: | 37242 |
QQ: | |
制造商: | Diodes Incorporated |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-26-6 |
晶体管极性: | P-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 100 V |
Id-连续漏极电流: | 1.6 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 350 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2 V |
Qg-栅极电荷: | 10.7 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 1.7 W |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
高度: | 1.3 mm |
长度: | 3.1 mm |
系列: | ZXMP10A |
晶体管类型: | 1 P-Channel |
宽度: | 1.8 mm |
正向跨导 - 最小值: | 2.8 S |
下降时间: | 7.2 ns |
上升时间: | 3.5 ns |
典型关闭延迟时间: | 13.4 ns |
典型接通延迟时间: | 3 ns |
单位重量: | 15 mg |
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