产品简介
技术参数品牌：VISHAY型号：SI9945BDY-T1-GE3批号：18+封装：SOIC-8数量：36954QQ：对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）类别：分立半导体产品产品族：晶体管-FET
详情介绍
技术参数
| 品牌： | VISHAY |
| 型号： | SI9945BDY-T1-GE3 |
| 批号： | 18+ |
| 封装： | SOIC-8 |
| 数量： | 36954 |
| QQ： | |
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况： | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
| 湿气敏感性等级 （MSL）： | 1（无限） |
| 类别： | 分立半导体产品 |
| 产品族： | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 类型： | 2 N-通道（双） |
| FET 功能： | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss）： | 60V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 5.3A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）： | 58 毫欧 @ 4.3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（值）： | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）： | 20nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）： | 665pF @ 15V |
| 功率 - 值： | 3.1W |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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