产品简介
技术参数品牌：INFINEON/英飞凌型号：IKW75N60H3批号：2021封装：数量：3932QQ：制造商：Infineon产品种类：IGBT晶体管RoHS：是封装/箱体：TO-247-3安装风格：ThroughHole配置：Single集电极—发射极电压VCEO：600V集电极—射极饱和电压：1
详情介绍
技术参数
| 品牌： | INFINEON/英飞凌 |
| 型号： | IKW75N60H3 |
| 批号： | 2021 |
| 封装： |
| 数量： | 3932 |
| QQ： | |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | IGBT 晶体管 |
| RoHS： | 是 |
| 封装 / 箱体： | TO-247-3 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 配置： | Single |
| 集电极—发射极电压 VCEO： | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压： | 1.85 V |
| 栅极/发射极电压： | 20 V |
| 在25 C的连续集电极电流： | 80 A |
| Pd-功率耗散： | 428 W |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 工作温度： | + 175 C |
| 系列： | HighSpeed 3 |
| 高度： | 20.7 mm |
| 长度： | 15.87 mm |
| 宽度： | 5.31 mm |
| 栅极—射极漏泄电流： | 100 nA |
| 零件号别名： | IKW75N60H3FKSA1 SP000906806 IKW75N6H3XK IKW75N60H3FKSA1 |
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