产品简介
技术参数品牌：Infineon型号：IPD50P04P4-13封装：TO-252批号：21+数量：20000制造商：Infineon产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：SMD/SMT封装/箱体：TO-252-3晶体管极性：P-Channel通道数量：1ChannelVds-漏源极击穿电压：40VId-连续漏极电流：50ARdsOn-漏源导通电阻：12
详情介绍
技术参数
| 品牌： | Infineon |
| 型号： | IPD50P04P4-13 |
| 封装： | TO-252 |
| 批号： | 21+ |
| 数量： | 20000 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-252-3 |
| 晶体管极性： | P-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 40 V |
| Id-连续漏极电流： | 50 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 12.6 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 2 V |
| Qg-栅极电荷： | 39 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 58 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 配置： | Single |
| 高度： | 2.3 mm |
| 长度： | 6.5 mm |
| 系列： | OptiMOS-P2 |
| 晶体管类型： | 1 P-Channel |
| 宽度： | 6.22 mm |
| 下降时间： | 28 ns |
| 上升时间： | 10 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 22 ns |
| 典型接通延迟时间： | 17 ns |
| 零件号别名： | IPD5P4P413XT SP000840204 IPD50P04P413ATMA1 |
| 单位重量： | 330 mg |
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