技术参数
品牌: | INFINEON/英飞凌 |
型号: | IRFHS9301TRPBF |
封装: | PQFN-6 |
批号: | 21+ |
数量: | 4000 |
制造商: | Infineon |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | PQFN-6 |
晶体管极性: | P-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 30 V |
Id-连续漏极电流: | 13 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 65 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2.4 V |
Qg-栅极电荷: | 6.9 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 2.1 W |
通道模式: | Enhancement |
商标名: | StrongIRFET |
配置: | Single |
高度: | 0.9 mm |
长度: | 2 mm |
系列: | P-Channel Power Mosfet |
晶体管类型: | 1 P-Channel |
宽度: | 2 mm |
商标: | Infineon / IR |
产品类型: | MOSFET |
工厂包装数量: | 4000 |
子类别: | MOSFETs |
单位重量: | 42.819 mg |
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