产品简介
技术参数品牌：ON/安森美型号：NTZD3155CT1G封装：SOT563批号：21+数量：20000制造商：ONSemiconductor产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：SMD/SMT封装/箱体：SOT-563-6通道数量：2Channel晶体管极性：N-Channel
详情介绍
技术参数
| 品牌： | ON/安森美 |
| 型号： | NTZD3155CT1G |
| 封装： | SOT563 |
| 批号： | 21+ |
| 数量： | 20000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOT-563-6 |
| 通道数量： | 2 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel, P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 20 V |
| Id-连续漏极电流： | 540 mA |
| Rds On-漏源导通电阻： | 550 mOhms, 900 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 6 V |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 250 mW |
| 配置： | Dual |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 0.55 mm |
| 长度： | 1.6 mm |
| 系列： | NTZD3155C |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| 宽度： | 1.2 mm |
| 下降时间： | 4 ns, 12 ns |
| 上升时间： | 4 ns, 12 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 16 ns, 35 ns |
| 典型接通延迟时间： | 6 ns, 10 ns |
| 单位重量： | 3 mg |
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