产品简介
技术参数品牌：ON/安森美型号：NTJD4152PT1G封装：SOT363批号：21+数量：45000制造商：ONSemiconductor产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：SMD/SMT封装/箱体：SOT-363-6通道数量：2Channel晶体管极性：P-ChannelVds-漏源极击穿电压：20VId-连续漏极电流：0
详情介绍
技术参数
| 品牌： | ON/安森美 |
| 型号： | NTJD4152PT1G |
| 封装： | SOT363 |
| 批号： | 21+ |
| 数量： | 45000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOT-363-6 |
| 通道数量： | 2 Channel |
| 晶体管极性： | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 20 V |
| Id-连续漏极电流： | 0.88 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 1 Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 12 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | - 1.2 V |
| Qg-栅极电荷： | 2.2 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 272 mW |
| 配置： | Dual |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 0.9 mm |
| 长度： | 2 mm |
| 系列： | NTJD4152P |
| 晶体管类型： | 2 P-Channel |
| 宽度： | 1.25 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 3 S |
| 下降时间： | 3.5 ns |
| 上升时间： | 6.5 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 13.5 ns |
| 典型接通延迟时间： | 5.8 ns |
| 单位重量： | 7.500 mg |
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