技术参数
品牌: | Infineon |
型号: | IPD90N06S4L-06 |
数量: | 2000 |
QQ: | |
制造商: | Infineon |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | TO-252-3 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 60 V |
Id-连续漏极电流: | 90 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 5 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 16 V, + 16 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.2 V |
Qg-栅极电荷: | 75 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 79 W |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
高度: | 2.3 mm |
长度: | 6.5 mm |
系列: | OptiMOS-T2 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 6.22 mm |
下降时间: | 8 ns |
上升时间: | 3 ns |
典型关闭延迟时间: | 50 ns |
典型接通延迟时间: | 10 ns |
零件号别名: | IPD9N6S4L6XT SP000415594 IPD90N06S4L06ATMA1 |
单位重量: | 330 mg |
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