技术参数
品牌: | INFINEON |
型号: | SPP11N80C3 |
批号: | 20+ |
封装: | TO-220 |
数量: | 53280 |
QQ: | 884827 |
制造商: | Infineon |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | PG-TO-220-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 800 V |
Id-连续漏极电流: | 11 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 450 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 10 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2.1 V |
Qg-栅极电荷: | 64 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 156 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
商标名: | CoolMOS |
封装: | Tube |
高度: | 15.65 mm |
长度: | 10 mm |
系列: | CoolMOS C3 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 4.4 mm |
商标: | Infineon Technologies |
下降时间: | 10 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 15 ns |
工厂包装数量: | 500 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 72 ns |
典型接通延迟时间: | 25 ns |
零件号别名: | SPP11N80C3XKSA1 SP000683158 SPP11N8C3XK SPP11N80C3XKSA1 |
单位重量: | 6 g |
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