技术参数
品牌: | Infineon |
型号: | BSC050NE2LSATMA1 |
批号: | 2020+ |
封装: | TDSON-8 |
数量: | 5000 |
QQ: | 884827 |
制造商: | Infineon |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | TDSON-8 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 25 V |
Id-连续漏极电流: | 58 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 4.2 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.2 V |
Qg-栅极电荷: | 14 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 28 W |
通道模式: | Enhancement |
商标名: | OptiMOS |
封装: | Cut Tape |
封装: | MouseReel |
封装: | Reel |
配置: | Single |
高度: | 1.27 mm |
长度: | 5.9 mm |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 5.15 mm |
商标: | Infineon Technologies |
正向跨导 - 最小值: | 38 S |
下降时间: | 2 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 2.2 ns |
工厂包装数量: | 5000 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 11.4 ns |
典型接通延迟时间: | 2.5 ns |
零件号别名: | BSC050NE2LS SP000756340 |
单位重量: | 300 mg |
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