技术参数
品牌: | TI |
型号: | TL082BCDR |
封装: | 连接器 |
批次: | 21+ |
数量: | 8000 |
描述: | IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC |
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况: | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
湿气敏感性等级 (MSL): | 1(无限) |
原厂标准交货期: | 6 周 |
详细描述: | J-FET-放大器-2-电路-8-SOIC |
数据列表: | TL081(A,B), 82(A,B), 84(A,B); |
标准包装: | 2,500 |
包装: | 标准卷带 |
零件状态: | 有源 |
类别: | 集成电路(IC) |
产品族: | 线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器 |
系列: | - |
其它名称: | 296-15004-2 |
放大器类型: | J-FET |
电路数: | 2 |
输出类型: | - |
压摆率: | 13V/µs |
增益带宽积: | 3MHz |
电流 - 输入偏置: | 30pA |
电压 - 输入补偿: | 2mV |
电流 - 供电: | 1.4mA |
电压 - 供电,单/双 (±): | 7V ~ 36V,±3.5V ~ 18V |
工作温度: | 0°C ~ 70°C |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装: | 8-SOIC |
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