技术参数
品牌: | TOSHIBA/东芝 |
型号: | 2SK209-GR(TE85L,F) |
批次: | 21+ |
数量: | 6688 |
制造商: | Toshiba |
产品种类: | JFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SC-59 |
晶体管极性: | N-Channel |
配置: | Single |
Id-连续漏极电流: | 14 mA |
Pd-功率耗散: | 150 mW |
系列: | 2SK209 |
闸/源截止电压: | - 1.5 V |
漏极/栅极电压: | - 50 V |
单位重量: | 12 mg |
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技术参数品牌:TOSHIBA/东芝型号:2SK209-GR(TE85L,F)批次:21+数量:6688制造商:Toshiba产品种类:JFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SC-59晶体管极性:N-Channel配置:SingleId-连续漏极电流:14mAPd-功率耗散:150mW系列:2SK209闸/源截止电压:-1
品牌: | TOSHIBA/东芝 |
型号: | 2SK209-GR(TE85L,F) |
批次: | 21+ |
数量: | 6688 |
制造商: | Toshiba |
产品种类: | JFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SC-59 |
晶体管极性: | N-Channel |
配置: | Single |
Id-连续漏极电流: | 14 mA |
Pd-功率耗散: | 150 mW |
系列: | 2SK209 |
闸/源截止电压: | - 1.5 V |
漏极/栅极电压: | - 50 V |
单位重量: | 12 mg |
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