产品简介
技术参数品牌:ST/意法半导体型号:VNN3NV04PTR-E批号:21+封装:SOT-223数量:4000QQ:制造商:STMicroelectronics产品种类:门驱动器RoHS:是产品:MOSFETGateDrivers类型:LowSide安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SOT-223激励器数量:1Driver输出端数量:1Output输出电流:3
详情介绍
技术参数
品牌: | ST/意法半导体 |
型号: | VNN3NV04PTR-E |
批号: | 21+ |
封装: | SOT-223 |
数量: | 4000 |
QQ: | |
制造商: | STMicroelectronics |
产品种类: | 门驱动器 |
RoHS: | 是 |
产品: | MOSFET Gate Drivers |
类型: | Low Side |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-223 |
激励器数量: | 1 Driver |
输出端数量: | 1 Output |
输出电流: | A |
上升时间: | 250 ns |
下降时间: | 250 ns |
电源电压-最小: | V |
电源电压-: | 55 V |
工作电源电流: | 100 uA |
Pd-功率耗散: | 35 W |
最小工作温度: | - 40 C |
工作温度: | + 150 C |
系列: | VNN3NV04P-E |
资格: | AEC-Q100 |
封装: | Cut Tape |
封装: | MouseReel |
封装: | Reel |
工作温度范围: | - 40 C to + 150 C |
技术: | Si |
商标: | STMicroelectronics |
关闭延迟时间: | 450 ns (Typ) |
开启延迟时间: | 90 ns (Typ) |
湿度敏感性: | Yes |
产品类型: | Gate Drivers |
工厂包装数量: | 1000 |
子类别: | PMIC - Power Management ICs |
单位重量: | 112 mg |
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